氮化铝可在2000℃非氧化气氛下，仍具有稳定的性能，是一种优良的高温耐火材料，抗熔融金属侵蚀的能力强，可用其作坩埚、保护管、浇注模具等

作为第三代半导体材料之一的氮化铝，具有高热导率、高电阻率、良好的紫外透过率、高击穿场强等优良性能。所以氮化铝可用于制造能够在高温或者存在一定辐射的场景下使用的高频大功率器件，如高功率电子器件、高密度固态存储器等。AlN的禁带宽度为6.2 eV，极化作用较强，在机械、微电子、光学以及声表面波器件(SAW)制造、高频宽带通信等领域都有应用，如氮化铝压电陶瓷及薄膜等。另外，高纯度的AlN陶瓷是透明的，具有优良的光学性能，再结合其电学性能，可制作红外导流罩、传感器等功能器件。